失效分析
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砷化镓铟微光显微镜
项目描述
砷化镓铟微光显微镜(InGaAs)与微光显微镜(EMMI)其侦测原理相同，都是用来侦测故障点定位，寻找亮点、热点(Hot Spot)的工具，其原理都是侦测电子-电洞结合与热载子所激发出的光子。区别在于InGaAs可侦测的波长较长，范围约在900nm到1600nm之间，等同于红外线的波长区， EMMI则是在350nm到1100nm。
InGaAs相较EMMI，更适用在检测先进制程组件的缺陷，原因在于尺寸小的组件，相对操作电压也随之降低，使得热载子所激发出的光波长变得较长，而InGaAs就非常适合用于侦测先进制程产品的亮点、热点(Hot Spot)定位。
应用范围
侦测缺陷(Defect)时间比 EMMI 短 5 ~ 10 倍。
可侦测到微小电流及先进制程的缺陷(Defect)。
可测到较轻微的 Metal Bridge。
针对芯片背面(Back-Side)的定位分析，红外光对硅基板穿透率较高。
检测优势
有专业的设备，可节省样品备制的时间与成本。