Dual Beam FIB(双束聚焦离子束)机台能在使用离子束切割样品的同时，以电子束对样品断面进行观察，亦可进行EDX成份分析。

Dual Beam FIB具备超高分辨率的离子束及电子束，能针对样品的微细结构进行奈米尺度的定位及观察。离子束最大电流可达65nA，极佳的切削速度能大幅缩短分析的时长，降低实验的成本。

半导体组件失效分析结构分析(能力可达14nm高阶制程)；

半导体生产线制程异常分析；

磊晶与薄膜结构分析；

穿透式电子显微镜试片制作。

采用特殊样品制备手法(研磨+ Ion milling)，迅速得到大范围铜晶粒影像。

Thermo Fisher Scientific Helios 5

样品最大尺寸：150mm；

配有75mm2 SDD EDS侦 测器，可进行实时EDS分析；

搭配高速运算的 EBSD 侦测器，除了成分分析之外，也可同时获得样品结晶性的讯息体；

观测范围宽度超过100um，或深度超过50um时，建议可改用切削速度更快速的Plasma FIB。