失效分析
服务项目 / 失效分析 / 失效点定位 / 激光束电阻异常侦测
激光束电阻异常侦测
项目描述
激光束电阻异常侦测(Optical Beam Induced Resistance Change，以下简称OBIRCH)，以镭射光在芯片表面(正面或背面) 进行扫描，在芯片功能测试期间，OBIRCH 利用镭射扫描芯片内部连接位置，并产生温度梯度，藉此产生阻值变化，并经由阻值变化的比对，定位出芯片Hot Spot(亮点、热点)缺陷位置。
应用范围
金属线/Poly/Well短路 (Metal Short/Metal bridge)；
闸极氧化层漏电(Gate Oxide Pin Hole)；
金属导通孔/接触孔阻值异常；
任何有材质或厚度不一样的Short/Bridge/Leakage/High Resistance 等芯片失效情况。
检测图片
经由OBIRCH扫描芯片正面、背面，找到异常亮点、热点(Hot Spot)。
检测优势
交期快，效率佳，可进行Backside Probe免去COB样品备制的时间。